Parę słów należy się również o samej serii 850 Pro, gdyż producent zastosował w niej pewną innowację, na którą warto przez chwilę zwrócić uwagę.

3D V-NAND MLC

Najnowsze modele SSD produkcji Samsunga wyposażone są w nową generację pamięci NAND Flash. Dotychczas nośniki SSD wykorzystywały trzy rodzaje modułów - SLC, MLC albo TLC. Różnica między nimi związana jest z ich budową, a dokładnie z ilością bitów przechowywaną w jednej komórce - im więcej, tym cena za GB pojemności maleje, lecz wraz z nią maleje także wydajność oraz trwałość. Ponieważ już pamięci TLC nie były zbyt udane, a zmniejszanie wielkości komórek powodowało coraz mniejszą trwałość, to nie można już było brnąć dalej w ślepy zaułek. 

Lekarstwem na dolegliwości okazało się układanie stosów z pamięci. Tak, nowy wynalazek Samsunga to trójwymiarowe, 32-warstwowe kości o pionowej strukturze wiązania i wysokiej gęstości upakowania danych, wykonane w oparciu o zmodyfikowaną technologię Charge Trap Flash (CTF). Zasada działania 3D V-NAND jest jednak również nieco odmienna od poprzednio stosowanych rozwiązań - ładunek elektryczny jest przechowywany teraz w warstwie izolacyjnej, która w dodatku, ze względu na podatność przewodnika na interferencje z innymi komórkami, została wykonania z azotku krzemu (SiN).

Struktura 5-warstwowej pamięci 3D NAND (fot. anandtech.com)

Za sprawą zastosowania opatentowanych modułów, Samsung poprawił zarówno wydajność, wytrzymałość, jak i efektywność energetyczną. Przede wszystkim jednak udało się zredukować całkowitą wielkość chipu oraz uzyskać wyższą niezawodność - za sprawą 40 nm procesu moduły stosowane w serii 850 Pro wytrzymują nawet 35.000 cykli zapisu, w przeciwieństwie do 3-5 tysięcy w kościach 25 nm MLC lub 1000 cykli w przypadku 19 nm kości TLC.

SSD 850 Pro

Poza wykorzystaniem nowych, 40 nm pamięci 3D V-NAND MLC, nowa seria bazuje na kontrolerze MEX, dysponującym trzema rdzeniami ARM o taktowaniu 400 MHz. Stosowany był on już w nośnikach 840 EVO, lecz tym razem mocno zmodyfikowano jego oprogramowanie, tak aby przystosować je do działania z pamięcią V-NAND. W porównaniu do układu MDX, znanego z serii 840 i 840 Pro, w kontrolerze MEX usprawniono m.in. algorytmy zarządzania pamięcią podręczną oraz zoptymalizowano część instrukcji.

Kontroler Samsung MEX (fot. anandtech.com)

Szczegółowa specyfikacja nośników została już podana na stronie poprzedniej. Warto jednak nadmienić, że sprzęt został objęty aż dziesięcioletnią gwarancją, do osiągnięcia 150 TB zapisów. Czy to nie zbyt restrykcyjne ograniczenie? Szybka kalkulacja mówi, że należałoby codziennie zapisywać po ~40 GB danych, co w 99% przypadków normalnego użytkowania jest nierealne do osiągnięcia. Najpewniej w ciągu 5 lat i tak dysk zostanie wymieniony na nowszy, 5x szybszy...