Pokaż wyniki od 1 do 9 z 9

Wątek: 4 GB G.Skill DDR4 na E-die

  1. #1
    HWBot Team Extreme overclocker Reputacja:   (17) Awatar phobosq
    Dołączył
    11.2013
    Skąd
    Kraków
    Posty
    2,314

    4 GB G.Skill DDR4 na E-die

    Nie jest najnowszy krzyk mody, bo teraz wszyscy zachwycają się B-die od Samsunga, które pozwalają na niektórych (factory bin hehehe) kościach osiąganie timingów 12-12-12-28 przy prędkościach w okolicach 2000 MHz (4G efektywnie). Dzięki pomocy Niebieskiego wpadły mi w łapki dwa kity G.Skilla Ripjaws 3200C16 i 3466C16, obydwa oparte o E-die od Samsunga.
    BTW jak poznać, które Samsungi są w G.Skillach? - W modułach 4GB o częstotliwości 3200 w górę ważny jest ID chipu i tydzień produkcji; jeśli ID (znaki 5-8) to A500, to jest Samsung, data produkcji do 1537 to D-die, od 1539 w górę to E-die, 1537 i 1538 to mix.
    Teraz tak - E-die są w gęstości 4 Gb/IC, więc 4 GB moduły są jednostronne, a (jak łatwo się domyślić) 8 GB są dwustronne. Jednostronne z definicji lepiej się kręcą, a dwustronne mogą mieć lepszą wydajność, ale efekt jest pomijalny, bo da się to nadrobić zegarami/timingami.
    Ponieważ moja Z170 OC Formula nie działa i oddaje się przyjemnościom RMA, mam nową zabawkę - Maximus 8 Impact, ma kręcić pamięć tak samo, albo nawet lepiej
    Na pierwszy rzut poszły 3466, które okazały się średnie, biorąc pod uwagę domyślne 16-18-38. Do 3600 wymagały poluźnienia TRCD do 19 i przy 1.8V zrobiły 3600 12-19-28. Ponieważ E-die bardzo dobrze skalują się z voltami, dodałem im jeszcze witaminy V i ostatecznie udało mi się zrobić 3600 11-19-28 przy 2V oraz przy 1.92V. Powyżej przestawało to mieć powoli sens, bo do 3866 TRCD musiało być 20 albo nawet 21 i żeby utrzymać napięcie na rozsądnym poziomie trzeba było zejść z CL na 13, co dawało zauważalnie niższą wydajność. Nie próbowałem maxować częstotliwości, ale 4000C16 powinno być osiągalne przy jakimś 1.5V, oczywiście w zależności też od IMC.
    Potem zamieniłem się na 3200, które okazały się o niebo lepsze. Jarek miał je u siebie na M8E i mówił, że udało mu się osiągnąć 3600 12-18-28 przy 1.85V. Impact okazał się tutaj niezwykle pomocny - przy 1.85V pamięci poleciały 3733 12-18-28 na super ostrych timingach (TRTP = 6, TWCL = 8, TFAW = 16, TRDWR_* - 12, TWRRD_dr/dd = 5, TWRWR_dr/dd = 4). Pozwoliło mi to znacząco poprawić wyniki w benchach - np. z 1586 na 1664 w XTU na 6600k przy 5500 MHz oraz . Nie cisnąłem dalej, 3866C12 powinno pójść przy 1.92-1.95, jeśli IMC pozwoli, podobnie 3733C11 powinno się udać około 2V. Tak czy inaczej, te 3200-ki będą teraz moimi kośćmi do benchów, mało co byłoby w stanie dać mi znaczącego boosta w tych samych pieniądzach (kupione po 63$/kit przed świętami w newegg).

    i właśnie dlatego nie starcza mi czasu na kręcenie!

  2. #2
    Użytkownik Extreme overclocker Reputacja:   (94) Awatar blabla123
    Dołączył
    02.2014
    Skąd
    WLKP
    Posty
    3,580
    Orientujesz się może jakie siedzą Samsungi w CMD16GX4M4B3333C16?

  3. #3
    HWBot Team Extreme overclocker Reputacja:   (17) Awatar phobosq
    Dołączył
    11.2013
    Skąd
    Kraków
    Posty
    2,314
    Jesteś pewien że to Samsungi, a nie Hynix? Zgadywałbym po dacie, jeśli są wcześniejsze niż z Q3 2015, to D-die, później pewnie E-die. Spróbuj sprawdzić jeszcze po rezultatach - jakie najciaśniejsze CL polecisz przy 3600 i 1.8V. Jak nie zabootują w ogóle CL12, a dadzą radę CL13 to D-die, E-die powinny robić 3600C12 (skoro nawet OEM-y robią).

    i właśnie dlatego nie starcza mi czasu na kręcenie!

  4. #4
    Użytkownik Extreme overclocker Reputacja:   (94) Awatar blabla123
    Dołączył
    02.2014
    Skąd
    WLKP
    Posty
    3,580
    Ver4.23
    Ja ich nie mam, pytam czy warto się nimi zainteresować.

  5. #5
    HWBot Team Extreme overclocker Reputacja:   (17) Awatar phobosq
    Dołączył
    11.2013
    Skąd
    Kraków
    Posty
    2,314
    No to sprawdzaj datę. D-die będą wysoko binowane, ale nawet średnie E-die są zdecydowanie lepsze.

    i właśnie dlatego nie starcza mi czasu na kręcenie!

  6. #6
    HWBot Team Extreme overclocker Reputacja:   (25) Awatar ViNG
    Dołączył
    02.2012
    Skąd
    Des Plaines, Illinois
    Posty
    2,280
    Z memkami leciałeś na air?
    4930k@4.7 AIO, Rampage IV BE, 4x4GB G.Skill TridentX 2400cl9, 980Ti LTG SLi, 2x1000W Seasonic Platinum, Pajonk

  7. #7
    HWBot Team Extreme overclocker Reputacja:   (17) Awatar phobosq
    Dołączył
    11.2013
    Skąd
    Kraków
    Posty
    2,314
    Yes, master. E-die testowałem już wcześniej na OEM-ach na LN2 przed świętami, działały do -80, ale poniżej -40 były niestabilne. Jedyne, co mi się udało, to przy zejściu z temperaturą do -20 mogłem pocieśnić TRCD o 1 do 20. Przy lepszych ramkach LN2 nie miało wysokiego priorytetu, to i tak mam lepsze timingi.

    i właśnie dlatego nie starcza mi czasu na kręcenie!

  8. #8
    HWBot Team Extreme overclocker Reputacja:   (25) Awatar ViNG
    Dołączył
    02.2012
    Skąd
    Des Plaines, Illinois
    Posty
    2,280
    To chyba muszę kilka 4paków na odwagę wypić, bo na x99 więcej niż 1.6 nie dawałem ;__; Ten typ człowieka już tak ma Cośtam popróbuje, bo przy AIO będzie można dołożyć dwie suszary, a na nh-d15 nie idzie "przywiązać" Zdarovo
    4930k@4.7 AIO, Rampage IV BE, 4x4GB G.Skill TridentX 2400cl9, 980Ti LTG SLi, 2x1000W Seasonic Platinum, Pajonk

  9. #9
    HWBot Team Extreme overclocker Reputacja:   (17) Awatar phobosq
    Dołączył
    11.2013
    Skąd
    Kraków
    Posty
    2,314
    E-die bardzo dobrze znoszą napięcie, wszystkie moje chodzą z 1.8-1.9V cały czas i nie zaobserwowałem żadnych skutków ubocznych. Dawałem maksymalnie 2.05 i też nic się nie działo. Na bocie regularnie goście ładują na nie po 2V i leci u mnie dmucha na nie zwykła 120 mm, nawet nie delta

    i właśnie dlatego nie starcza mi czasu na kręcenie!

Uprawnienia umieszczania postów

  • Nie możesz zakładać nowych tematów
  • Nie możesz pisać wiadomości
  • Nie możesz dodawać załączników
  • Nie możesz edytować swoich postów
  •